浮思特科技
產(chǎn)品中心
浮思特-SIC Module
浮思特研發(fā)的MPRA1C65-S61 SIC模塊采用了先進(jìn)的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體技術(shù)，以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，重新定義了功率電子的標(biāo)準(zhǔn)。它不僅擁有更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，還能夠在極端的工作條件下保持穩(wěn)定，顯著提升了系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
浮思特 MPRA1C65-S61 封裝信息：
封裝電路圖：
特征：
幾乎無(wú)開(kāi)關(guān)損耗
可忽略的反向恢復(fù)
更高的開(kāi)關(guān)頻率
高浪涌電流能力
提高的系統(tǒng)效率
優(yōu)勢(shì)：
開(kāi)關(guān)特性幾乎與溫度無(wú)關(guān)
正的溫度系數(shù)
散熱的要求
RoHS無(wú)鹵素/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)論是在高溫環(huán)境下的持久運(yùn)行，還是在高頻率下的精確控制，MPRA1C65-S61 SiC模塊都能提供無(wú)與倫比的性能表現(xiàn)。浮思特的這款碳化硅模塊，將為電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。
