SemiHow科技成立于 2002 年，是一家功率半導(dǎo)體公司，專注于在三星半導(dǎo)體 10 多年掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)、Fab 工藝技術(shù)和 Fab 生產(chǎn)技術(shù)的工程師。

　　SemiHow科技于2004年與華潤(rùn)微電子有限公司簽署《技術(shù)支持及代工協(xié)議》，支持華潤(rùn)微電子的Planar mosfet制程技術(shù)，并在華潤(rùn)微晶圓廠生產(chǎn)代工晶圓，并于2005年開(kāi)發(fā)并推出HV MOSFET。韓國(guó)和中國(guó)第一家量產(chǎn)高壓MOSFET進(jìn)入中國(guó)和韓國(guó)市場(chǎng)。

　　此后，SemiHow與FMIC、Skysilicon、華虹宏力等國(guó)內(nèi)代工公司合作，持續(xù)推出低壓溝槽MOSFET、可控硅、雙向晶閘管、NPT IGBT、屏蔽柵溝槽MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品。

　　并在移動(dòng)充電器、適配器、消費(fèi)電子、PC、EV充電器、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器、LED照明等市場(chǎng)上以世界一流的技術(shù)獲得認(rèn)可。

　　2018年，SemiHow科技與三星代工廠(“SF”)簽署戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，在SF 8英寸生產(chǎn)線上開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)Power Discrete產(chǎn)品。2019年，作為第一個(gè)開(kāi)發(fā)系列，我們開(kāi)發(fā)了超過(guò)110種產(chǎn)品(600-900伏)的超級(jí)結(jié)S3 MOSFET(Rsp18級(jí))和平面MOSFET 800,900伏產(chǎn)品。

　　隨后，不斷推進(jìn)FS(Field Stop)IGBT、SGT MOSFET、Gen2 SJMOSFET的開(kāi)發(fā)。2023年，我們發(fā)布了“Q4 FS IGBT、SGT MOSFET”產(chǎn)品，2024年，計(jì)劃推出“Q1 Gen2 SJ MOSFET”和“Q2 IGBT功率模塊”產(chǎn)品。

　　2020年起，SemiHow功率分立產(chǎn)品80%以上將由SF 8英寸晶圓廠和Synergy Power生產(chǎn)，憑借SemiHow20年全球技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力和Know-How以及四大競(jìng)爭(zhēng)力(晶圓廠產(chǎn)能、質(zhì)量、交期、成本)的順豐8寸線能夠滿足任何客戶的需求。

　　發(fā)展歷史：

　　2023年

　　·完成1200V級(jí)IGBT開(kāi)發(fā)。

　　·總部擴(kuò)建并遷至仁川青羅。

　　2022年

　　·批準(zhǔn) Cuckoo Electronics 感應(yīng)系列中 650 伏和 1400 伏等級(jí)的所有 IGBT 型號(hào)。

　　·被產(chǎn)業(yè)通商資源部認(rèn)定為1000萬(wàn)美元出口冠軍。

　　·全球最大礦機(jī)公司比特大陸已獲批，為首批供貨廠商。

　　·華碩 ATX Power 已獲得供貨批準(zhǔn)。

　　2021年

　　·完成650伏和1400伏等級(jí)的IGBT開(kāi)發(fā)。

　　·中小企業(yè)和初創(chuàng)企業(yè)部長(zhǎng)的嘉獎(jiǎng)。

　　2020年

　　·開(kāi)始在 SF 開(kāi)發(fā) 650 伏和 1400 伏等級(jí)的場(chǎng)截止 IGBT。

　　2019年

　　·三星代工廠(“SF”)8 英寸工廠開(kāi)發(fā)了超過(guò) Super Junction(“SJ”)MOSFET 600-900V 的 110 種產(chǎn)品。

　　·將SemiHow屏蔽柵溝槽(“SGT”) MOSFET工藝和普通低壓溝槽(“LVT”) MOSFET工藝移植到SF 8英寸晶圓廠。

　　2018年

　　·與SF事業(yè)部簽訂合同，將SemiHow Process技術(shù)移植到SF 8英寸工廠，并在SF生產(chǎn)SemiHow SJ MOSFET、SGT MOSFET、Planar MOSFET、FS IGBT產(chǎn)品。

　　·完成SemiHow SJ MOSFET工藝(Epi Stack技術(shù))和Planar MOSFET 800,900V到SF 8英寸工廠的移植。

　　·SF 8英寸工廠開(kāi)發(fā)的SJ MOSFET產(chǎn)品已獲得三星移動(dòng)部門的認(rèn)可并交付。

　　2016年

　　·三星超級(jí)結(jié)MOSFET移動(dòng)充電器銷售額突破500萬(wàn)美元

　　2015, 16年

　　·為三星Galaxy系列充電器供應(yīng)約1.1億個(gè)700V SJ MOSFET。

　　2014年

　　·采用深溝槽技術(shù)開(kāi)發(fā) 700v SJ MOSFET，并已獲批準(zhǔn)用于三星 Galaxy S5、Note4 充電器。

　　2012年

　　·三星 Galaxy 系列充電器的高壓 MOSFET 產(chǎn)品和洗衣機(jī)應(yīng)用的 Triac 產(chǎn)品獲得認(rèn)可。

　　·開(kāi)發(fā)晶閘管(Triac、SCR)

　　2010年11月

　　·在DB Hitech 8inch Fab開(kāi)發(fā)Power Switch MCP(PWM IC+MOSFET)和PFC IC。采用加拿大Dalsa BCDMOS 8英寸工藝開(kāi)發(fā)Soc(PWM IC+MOSFET)

　　2008年9月10日

　　·在國(guó)宇、中環(huán)和FMIC 6英寸工廠開(kāi)發(fā)Gen2、Gen3、Gen4 Planar MOSFET。(SemiHow'工藝/生產(chǎn)技術(shù)移植)2007年

　　·注冊(cè)為三星電子和中國(guó)/韓國(guó)大客戶的功率分立供應(yīng)商。

　　·實(shí)現(xiàn)銷售額1500萬(wàn)美元。

　　2004年

　　·在華潤(rùn)微電子有限公司5英寸工廠開(kāi)發(fā)高壓(500-900V)平面MOSFET。(SemiHow'工藝/生產(chǎn)技術(shù)移植)

　　2003年

　　·在華山電子4英寸工廠開(kāi)發(fā)用于PC電源應(yīng)用的功率BJT(雙極結(jié)型晶體管)700Volt 13005,7,9。(SemiHow'工藝/生產(chǎn)技術(shù)移植)2002年

　　2002年

　　·SemiHow成立