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成為擁有核心技術(shù)的半導(dǎo)體元器件供應(yīng)商和解決方案商
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產(chǎn)品中心

POWER MASTER-SIC

PCW120N21M1

POWERMASTER公司的PCW120N21M1是一款高端硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),其設(shè)計(jì)突破了常規(guī)硅基MOSFET的性能限制。
產(chǎn)品詳情

  產(chǎn)品名稱:PCW120N21M1 SIC mosfet

  產(chǎn)品介紹:

  POWERMASTER公司的PCW120N21M1是一款高端硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),其設(shè)計(jì)突破了常規(guī)硅基MOSFET的性能限制。采用了最新的SiC技術(shù),這款MOSFET專為高效能和高頻率的電力應(yīng)用而設(shè)計(jì),優(yōu)化了能源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功耗和散熱效率。

  產(chǎn)品特性:

  1. 高電壓耐受:PCW120N21M1能夠處理高達(dá)1200V的工作電壓,為高壓應(yīng)用提供了穩(wěn)定可靠的解決方案。

  2. 低導(dǎo)通電阻:擁有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),從而減少功率損失并提高操作效率。

  3. 快速開(kāi)關(guān)能力:SiC MOSFET具有比傳統(tǒng)硅MOSFET更快的開(kāi)關(guān)速率,大大減少了開(kāi)關(guān)損耗。

  4. 高溫性能:具備出色的熱穩(wěn)定性,能夠在更高的溫度下運(yùn)行,適合苛刻的工作環(huán)境。

  5. 兼容性:PCW120N21M1的封裝設(shè)計(jì)允許它與現(xiàn)有的硅MOSFET設(shè)備兼容,簡(jiǎn)化了升級(jí)換代過(guò)程。

  應(yīng)用場(chǎng)景:

  PCW120N21M1 SiC MOSFET適用于多種高性能和高功率密度的電子應(yīng)用,如:

  - 可再生能源系統(tǒng),包括太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能轉(zhuǎn)換器

  - 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的動(dòng)力系統(tǒng)

  - 服務(wù)器電源和電信基站電源

  - 高速列車和地鐵系統(tǒng)的牽引逆變器

  - 高頻開(kāi)關(guān)電源和無(wú)源PFC(功率因數(shù)校正)

  技術(shù)參數(shù):

  - 最大漏源電壓(VDS):1200V

  - 持續(xù)漏電流(ID):21A

  - 導(dǎo)通電阻(RDS(on)):極低

  - 總柵極電荷(Qg):優(yōu)化值

  - 封裝類型:TO-247-3

  POWERMASTER的PCW120N21M1 SiC MOSFET以其高效的能源轉(zhuǎn)換能力、快速開(kāi)關(guān)特性和卓越的熱性能,為高壓電力電子設(shè)備提供了理想的半導(dǎo)體解決方案。這款產(chǎn)品的出現(xiàn),代表了SiC MOSFET技術(shù)在性能和可靠性方面的新標(biāo)桿。

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