產(chǎn)品名稱：PCZ120N21M1 SIC mosfet

　　產(chǎn)品概述：

　　POWERMASTER的PCZ120N21M1是一款尖端的硅碳化物(SiC)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，它代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重大進(jìn)步，特別是在需要高效率、高功率密度和優(yōu)異熱管理的應(yīng)用中。這款SiC MOSFET以其卓越的電氣性能和耐用性，成為推動(dòng)現(xiàn)代電力系統(tǒng)向更高性能邁進(jìn)的關(guān)鍵組件。

　　產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　1. 高壓操作能力：PCZ120N21M1能夠承受高達(dá)1200V的電壓，適用于各種高壓電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

　　2. 低導(dǎo)通損耗：具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，顯著降低了導(dǎo)通時(shí)的功率損耗，提高了整體系統(tǒng)效率。

　　3. 高速開關(guān)：SiC材料的固有特性使得該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)，減少了開關(guān)過程中的能量損失。

　　4. 高溫運(yùn)行：具備出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能，適合極端工作條件。

　　5. 緊湊設(shè)計(jì)：PCZ120N21M1的封裝設(shè)計(jì)緊湊，有助于實(shí)現(xiàn)更小尺寸的電力電子設(shè)備。

　　應(yīng)用領(lǐng)域：

　　PCZ120N21M1 SiC MOSFET適用于多種高要求的電力電子應(yīng)用，包括：

　　- 高效能電源供應(yīng)和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

　　- 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的充電和動(dòng)力系統(tǒng)

　　- 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器

　　- 高頻開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　- 航空航天應(yīng)用中的高可靠性電源系統(tǒng)

　　技術(shù)規(guī)格：

　　- 最大漏源電壓(VDS)：1200V

　　- 持續(xù)漏電流(ID)：21A

　　- 導(dǎo)通電阻(RDS(on))：極低

　　- 總柵極電荷(Qg)：優(yōu)化值

　　- 封裝類型：TO-247-3

　　POWERMASTER的PCZ120N21M1 SiC MOSFET是電力電子工程師在追求更高效率、更小體積和更強(qiáng)熱性能時(shí)的理想選擇。其先進(jìn)的技術(shù)和卓越的性能，使其成為推動(dòng)電力轉(zhuǎn)換技術(shù)革新的關(guān)鍵組件，為各種高要求的應(yīng)用提供了可靠的解決方案。