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產(chǎn)品中心

SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPA65C045R

HPA65C045R 是一款由SemiHow公司生產(chǎn)的碳化硅(SiC) MOSFET,具有卓越的電性能和可靠性。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的SiC材料,相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度。
SiC MOSFET
產(chǎn)品詳情

  HPA65C045R 是一款由SemiHow公司生產(chǎn)的碳化硅(SIC) mosfet,具有卓越的電性能和可靠性。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的SiC材料,相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度。

  產(chǎn)品詳情如下:

  高性能:HPA65C045R 的最大耐壓達(dá)到650V,能夠適應(yīng)更高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。同時(shí),其導(dǎo)通電阻僅為45mΩ,降低了導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)效率。

  快速開關(guān):SiC材料的優(yōu)越特性使得HPA65C045R具備更快的開關(guān)速度,可廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合,有助于提高系統(tǒng)響應(yīng)速度和降低開關(guān)損耗。

  高溫穩(wěn)定性:HPA65C045R具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性,可在高達(dá)175℃的環(huán)境下長(zhǎng)期工作,降低了系統(tǒng)熱損耗,提高了產(chǎn)品可靠性。

  小型化設(shè)計(jì):HPA65C045R采用緊湊型封裝,節(jié)省空間,便于安裝和維護(hù)。

  應(yīng)用廣泛:HPA65C045R可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、工業(yè)電源等領(lǐng)域,助力節(jié)能減排,提高能源利用效率。

  總之,HPA65C045R是一款性能優(yōu)異的SiC MOSFET,為各類應(yīng)用場(chǎng)景提供了高效、可靠的解決方案。


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