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產(chǎn)品中心

SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPFL120C165R

HPFL120C165R,作為SemiHow旗下的杰出SiC MOSFET產(chǎn)品,以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的革新。這款MOSFET專為高電壓、高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠承受高達(dá)1200V的漏源電壓(VDS),并具備出色的電流承載能力,最大可達(dá)165A,確保在嚴(yán)苛工況下穩(wěn)定運(yùn)行。
SiC MOSFET
產(chǎn)品詳情

  HPFL120C165R,作為SemiHow旗下的杰出SIC mosfet產(chǎn)品,以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的革新。這款MOSFET專為高電壓、高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì),能夠承受高達(dá)1200V的漏源電壓(VDS),并具備出色的電流承載能力,最大可達(dá)165A,確保在嚴(yán)苛工況下穩(wěn)定運(yùn)行。

  采用先進(jìn)的碳化硅(SiC)材料,HPFL120C165R在降低導(dǎo)通電阻、提高開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)出色,顯著減少了能量損耗,提升了系統(tǒng)效率。其耐高溫特性更是讓人印象深刻,能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間工作而不影響性能,延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。

  此外,HPFL120C165R還具備優(yōu)異的反向恢復(fù)特性和低漏電流,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。其緊湊的封裝設(shè)計(jì)不僅便于系統(tǒng)集成,還優(yōu)化了散熱性能,使得在有限的空間內(nèi)也能實(shí)現(xiàn)高效的熱量管理。

  HPFL120C165R廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源及電力傳輸?shù)榷鄠€(gè)領(lǐng)域,為這些行業(yè)提供了高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換解決方案。無(wú)論是追求高效能轉(zhuǎn)換還是降低系統(tǒng)成本,HPFL120C165R都是您理想的選擇。


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