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產(chǎn)品中心

SemiHow-GaNFET

GaN FET

HPF70G230N

HPF70G230N是一款單通道的氮化鎵功率半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如不間斷電源(UPS)、電動(dòng)車充電樁、太陽(yáng)能逆變器、電子負(fù)載以及高效率的開(kāi)關(guān)電源等。該器件采用SemiHow獨(dú)特的GaN技術(shù),具有高頻率、高效率、低熱阻等優(yōu)勢(shì),適用于更高的工作電壓和工作電流。
GaN FET
產(chǎn)品詳情

  HPF70G230N是一款單通道的氮化鎵功率半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如不間斷電源(UPS)、電動(dòng)車充電樁、太陽(yáng)能逆變器、電子負(fù)載以及高效率的開(kāi)關(guān)電源等。該器件采用SemiHow獨(dú)特的GaN技術(shù),具有高頻率、高效率、低熱阻等優(yōu)勢(shì),適用于更高的工作電壓和工作電流。

  主要特點(diǎn):

  高頻工作:HPF70G230N采用氮化鎵技術(shù),可在更高的頻率下工作,從而降低開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。

  高效率:該器件具有高輸入-輸出轉(zhuǎn)換效率,適用于需要高效電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。

  熱穩(wěn)定性:由于采用氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),HPF70G230N具有更好的熱穩(wěn)定性,能夠在更高的工作溫度下運(yùn)行,提高了系統(tǒng)的可靠性。

  高工作電壓:該器件可承受較高的工作電壓,適用于更高的電壓輸入和輸出轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

  驅(qū)動(dòng)要求低:HPF70G230N對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求較低,便于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。

  技術(shù)參數(shù):

  額定電壓:該器件可在最高60V的電壓下正常工作。

  額定電流:該器件可在最高23A的電流下正常工作。

  最大輸入功率:該器件的最大輸入功率為70W。

  工作頻率:該器件的工作頻率高達(dá)數(shù)百KHz。

  應(yīng)用領(lǐng)域: HPF70G230N適用于各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如不間斷電源(UPS)、電動(dòng)車充電樁、太陽(yáng)能逆變器、電子負(fù)載以及高效率的開(kāi)關(guān)電源等。由于其高頻、高效率、低熱阻等優(yōu)勢(shì),該器件在高效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

  總結(jié): HPF70G230N是一款高性能的氮化鎵功率半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用SemiHow獨(dú)特的GaN技術(shù),具有高頻工作、高效率、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。該器件適用于各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,具有廣泛的應(yīng)用前景。作為一款由SemiHow研發(fā)的獨(dú)家產(chǎn)品,該器件在市場(chǎng)上具有較高的競(jìng)爭(zhēng)力。


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