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產(chǎn)品中心

SemiHow-GaNFET

GaN FET

HPFL70G105N

HPFL70G105N 是由 SemiHow 旗下推出的一款高性能氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。作為一款先進(jìn)的功率器件,HPFL70G105N 旨在滿足高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用需求
GaN FET
產(chǎn)品詳情

  HPFL70G105N 是由 SemiHow 旗下推出的一款高性能氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。作為一款先進(jìn)的功率器件,HPFL70G105N 旨在滿足高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用需求,廣泛應(yīng)用于電源管理、無線充電、電動(dòng)汽車充電和其他高功率密度設(shè)備。

  產(chǎn)品特點(diǎn)

  高開關(guān)速度:HPFL70G105N 采用氮化鎵材料,具有極高的開關(guān)速度,相較于傳統(tǒng)硅器件,能夠顯著降低開關(guān)損耗,使系統(tǒng)效率大幅提升。

  低導(dǎo)通阻抗:該器件具有低導(dǎo)通阻抗(Rds(on)),有效降低導(dǎo)通損耗,提升整體電源轉(zhuǎn)換效率,適用于高功率應(yīng)用。

  高溫穩(wěn)定性:HPFL70G105N 的工作溫度范圍廣,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適合嚴(yán)苛的工作條件。

  緊湊的封裝設(shè)計(jì):采用緊湊型封裝,便于設(shè)計(jì)集成在高密度電路中,節(jié)省空間,同時(shí)提升系統(tǒng)的散熱性能。

  優(yōu)異的電氣性能:該器件具備良好的開關(guān)特性和低輸出電容,適合高頻應(yīng)用,降低 EMI 干擾。

  應(yīng)用領(lǐng)域

  電源轉(zhuǎn)換:適用于高效電源轉(zhuǎn)換器,如 AC-DC、DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提升效率和功率密度。

  無線充電:在無線充電設(shè)備中,HPFL70G105N 可實(shí)現(xiàn)更快的充電速度和更高的效率。

  電動(dòng)汽車充電:為電動(dòng)汽車快速充電樁提供強(qiáng)大的功率支持,縮短充電時(shí)間。

  服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心:在高效電源供應(yīng)及冷卻系統(tǒng)中優(yōu)化能耗,降低運(yùn)營(yíng)成本。

  技術(shù)規(guī)格

  最大漏極-源電壓(Vds):70V

  最大漏極電流(Id):105A

  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):極低,優(yōu)化功率損耗

  封裝類型:緊湊型封裝,方便散熱和空間布局

  工作頻率:支持高頻操作,滿足不同應(yīng)用需求

  結(jié)論

  HPFL70G105N 氮化鎵 FET 是一款結(jié)合高效率、低損耗和高功率密度的先進(jìn)器件,適用于多種高性能應(yīng)用。憑借其卓越的電氣特性和穩(wěn)定的工作性能,HPFL70G105N 是現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)的理想選擇,為您的產(chǎn)品提供強(qiáng)大的支持。

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